1、負(fù)責(zé)設(shè)備部的日常運(yùn)行、監(jiān)控和維護(hù)，確保設(shè)備正常運(yùn)行；2、主導(dǎo)設(shè)備故障分析及預(yù)防性維護(hù)體系完善，確保設(shè)備稼動(dòng)率≥95%；3、負(fù)責(zé)設(shè)備部人員工作安排及培訓(xùn)，通過培訓(xùn)確保掌握設(shè)備維護(hù)、故障處理技能；4、監(jiān)控設(shè)備OEE(全局設(shè)備效率)、物料、易損件及維護(hù)成本，制定降本增效方案；5、負(fù)責(zé)新設(shè)備選型、驗(yàn)收及供應(yīng)商技術(shù)能力評(píng)估；崗位要求：1、精通MOCVD設(shè)備原理、外延設(shè)備硬件對(duì)工藝性能影響；2、熟練掌握表征設(shè)備運(yùn)行原理、檢測數(shù)據(jù)分析及工藝相關(guān)性；3、熟悉半導(dǎo)體芯片全制程（外延-光刻）的協(xié)同要求；薪資待遇：1、具有行業(yè)競爭力的薪資福利；2、多元化帶薪假期；3、六險(xiǎn)一金；4、團(tuán)體旅游/拓展、年度體檢；5、團(tuán)體活動(dòng)俱樂部、定期培訓(xùn)；6、三節(jié)福利禮金。

晶湛半導(dǎo)體由業(yè)界公認(rèn)的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延技術(shù)的開拓者程凱博士于2012年3月回國創(chuàng)辦，坐落于蘇州市工業(yè)園區(qū)，擁有國際先進(jìn)的氮化鎵外延材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地，致力于為電力電子以及微顯示等領(lǐng)域提供高品質(zhì)氮化鎵外延材料解決方案，也是目前國際上可供應(yīng)300mm硅基氮化鎵外延產(chǎn)品的先鋒廠商，技術(shù)實(shí)力處于國際領(lǐng)軍地位。在公司發(fā)展過程中，晶湛在業(yè)內(nèi)創(chuàng)造過多項(xiàng)創(chuàng)舉。2014年底，晶湛半導(dǎo)體率先在全球發(fā)布商用8英寸硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品，經(jīng)有關(guān)下游客戶驗(yàn)證，該材料具備全球領(lǐng)先的技術(shù)指標(biāo)和卓越的性能，實(shí)現(xiàn)了國內(nèi)氮化鎵產(chǎn)業(yè)的重要升級(jí)。2021年9月，晶湛半導(dǎo)體成功發(fā)布12英寸硅基電力電子氮化鎵外延片，贏得了國內(nèi)外廣泛關(guān)注。經(jīng)過多年的專注發(fā)展，晶湛半導(dǎo)體已經(jīng)成為國內(nèi)GaN材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的領(lǐng)軍企業(yè)，通過與全球數(shù)百家知名半導(dǎo)體科技企業(yè)、高?？蒲性核蛻艚V泛深入的合作，多次在行業(yè)頂級(jí)期刊Nature Electronics，IEEE Electron DeviceLetters，及國際頂級(jí)會(huì)議IEDM等發(fā)布相關(guān)創(chuàng)新成果，引起國際半導(dǎo)體界的廣泛關(guān)注和一致好評(píng)。晶湛半導(dǎo)體高度重視自主研發(fā)和核心知識(shí)產(chǎn)權(quán)工作，在氮化鎵外延領(lǐng)域已掌握多項(xiàng)核心技術(shù), 擁有獨(dú)立的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，晶湛半導(dǎo)體目前已在國內(nèi)外累計(jì)申請(qǐng)超900項(xiàng)專利，其中已獲得超200項(xiàng)專利授權(quán)。公司還先后榮獲蘇州市技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)、蘇州工業(yè)園區(qū)專利授權(quán)十佳企業(yè)、蘇州工業(yè)園區(qū)知識(shí)產(chǎn)權(quán)高質(zhì)量創(chuàng)造獎(jiǎng)、江蘇省百件優(yōu)質(zhì)發(fā)明專利、江蘇省高質(zhì)量發(fā)明專利、蘇州市優(yōu)秀專利獎(jiǎng)、國家高新技術(shù)企業(yè)、蘇州市獨(dú)角獸培育企業(yè)、蘇州市企業(yè)工程技術(shù)研究中心等一系列資質(zhì)和榮譽(yù)。蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司將一直秉承著“成為世界領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體材料供應(yīng)商”的愿景，為客戶創(chuàng)造價(jià)值。